FDD6670AS

Valmistajan tuotenumero:

FDD6670AS

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDD6670AS-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 30V 76A TO252

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 30 V 76A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252AA

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12850417

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDD6670AS Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

-

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Obsolete

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

76A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

8mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1580 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

70W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

TO-252AA

Pakkaus / Kotelo

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Perustuotenumero

FDD667

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,500

Muut nimet

FDD6670ASCT

FDD6670ASDKR

FDD6670ASTR

FDD6670AS-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FQB2N90TM

MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

onsemi

FDP24N40

MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3

onsemi

FQA34N20

MOSFET N-CH 200V 34A TO3P

infineon-technologies

BSC011N03LSTATMA1

MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON