Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDD6680AS
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDD6680AS-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 55A (Ta) 60W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12839050
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDD6680AS Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®, SyncFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
55A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
60W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
FDD668
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FDD6680AS
Tietokortit
FDD6680AS
HTML-tietolomake
FDD6680AS-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDD6680AS-DG
FDD6680ASFSTR
FDD6680ASFSCT
FDD6680ASFSDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPD30N03S4L09ATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
48073
DiGi OSA NUMERO
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
Yksikköhinta
0.31
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STD70NS04ZL
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STD70NS04ZL-DG
Yksikköhinta
0.65
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPD090N03LGATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
94138
DiGi OSA NUMERO
IPD090N03LGATMA1-DG
Yksikköhinta
0.23
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FDD6690A
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
17130
DiGi OSA NUMERO
FDD6690A-DG
Yksikköhinta
0.37
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDP12N50
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
FDD86381-F085
MOSFET N-CH 80V 25A DPAK
FDB035AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
FCPF380N60E-F152
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3