Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDD86110
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDD86110-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
335 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12839079
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDD86110 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12.5A (Ta), 50A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2265 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.1W (Ta), 127W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
FDD861
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FDD86110
Tietokortit
FDD86110
HTML-tietolomake
FDD86110-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDD86110CT
FDD86110TR
FDD86110-DG
ONSONSFDD86110
2156-FDD86110-OS
FDD86110DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
TK33S10N1Z,LQ
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
1940
DiGi OSA NUMERO
TK33S10N1Z,LQ-DG
Yksikköhinta
0.59
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STD100N10F7
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
5739
DiGi OSA NUMERO
STD100N10F7-DG
Yksikköhinta
1.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
FDMS8848NZ
MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
FDS6680
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC