Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDD8770
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDD8770-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12847441
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDD8770 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
25 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
35A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3720 pF @ 13 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
115W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
FDD877
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FDD8770
Tietokortit
FDD8770
HTML-tietolomake
FDD8770-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDD8770CT
FDD8770TR
FDD8770DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
NVD4C05NT4G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
NVD4C05NT4G-DG
Yksikköhinta
0.74
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
PJD85N03_L2_00001
VALMISTAJA
Panjit International Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
PJD85N03_L2_00001-DG
Yksikköhinta
0.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STD95N2LH5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
5892
DiGi OSA NUMERO
STD95N2LH5-DG
Yksikköhinta
0.60
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STD17NF03LT4
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
3239
DiGi OSA NUMERO
STD17NF03LT4-DG
Yksikköhinta
0.34
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
AOD424
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
62191
DiGi OSA NUMERO
AOD424-DG
Yksikköhinta
0.27
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDU8896
MOSFET N-CH 30V 17A/94A IPAK
AO6402AL
MOSFET N-CH 30V 7A 6TSOP
FDMC8588
MOSFET N-CH 25V 16.5A/40A PWR33
IRFM120ATF
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4