Valmistajan tuotenumero:
FDD8876
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDD8876-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 73A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
8387 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12849524
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDD8876 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
15A (Ta), 73A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
70W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
FDD887
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDD8876-DG
FDD8876DKR
FDD8876CT
FDD8876TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPD30N03S4L09ATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
48073
DiGi OSA NUMERO
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
Yksikköhinta
0.31
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPD090N03LGATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
94138
DiGi OSA NUMERO
IPD090N03LGATMA1-DG
Yksikköhinta
0.23
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
AOT12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
FDD9407_SN00283
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
