Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDJ128N
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDJ128N-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 FLMP
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12847088
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDJ128N Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
2.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
543 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.6W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SC75-6 FLMP
Pakkaus / Kotelo
SC-75-6 FLMP
Perustuotenumero
FDJ128
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
FDJ128N_NLTR-DG
FDJ128NTR-NDR
FDJ128N_NLCT-DG
FDJ128NCT
FDJ128N_NLCT
FDJ128NTR
FDJ128N_NL
FDJ128NCT-NDR
FDJ128NDKR
FDJ128N_NLTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDMS0312S
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
FDMC86139P
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FQB6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK