FDMC4435BZ

Valmistajan tuotenumero:

FDMC4435BZ

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDMC4435BZ-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 30 V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Varasto:

11065 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12851191

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDMC4435BZ Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

8.5A (Ta), 18A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

20mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±25V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2045 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.3W (Ta), 31W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

8-MLP (3.3x3.3)

Pakkaus / Kotelo

8-PowerWDFN

Perustuotenumero

FDMC4435

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

FSCFDMC4435BZ

FDMC4435BZTR

FDMC4435BZDKR

FDMC4435BZCT

2156-FDMC4435BZ-OS

2832-FDMC4435BZTR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FDS6673BZ-F085

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

onsemi

FDU8880

MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK

onsemi

FDZ191P

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

infineon-technologies

IPB80N06S3L-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3