FDMC510P

Valmistajan tuotenumero:

FDMC510P

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDMC510P-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 20 V 12A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Varasto:

49320 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12846248

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDMC510P Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

20 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

12A (Ta), 18A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

1.5V, 4.5V

Rds päällä (max) @ id, vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

116 nC @ 4.5 V

Vgs (enintään)

±8V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

7860 pF @ 10 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

8-MLP (3.3x3.3)

Pakkaus / Kotelo

8-PowerWDFN

Perustuotenumero

FDMC510

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

2832-FDMC510PTR

FDMC510PTR

FDMC510PCT

FDMC510PDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FCPF11N60T

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOI4146

MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO251A

FDC3512

MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6

onsemi

FDMS7658AS

MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN