FDMC7672S

Valmistajan tuotenumero:

FDMC7672S

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDMC7672S-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 30 V 14.8A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Varasto:

3690 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12846910

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

zSJf

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDMC7672S Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®, SyncFET™

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

14.8A (Ta), 18A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

6mOhm @ 14.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

42 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2520 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.3W (Ta), 36W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

8-MLP (3.3x3.3)

Pakkaus / Kotelo

8-PowerWDFN

Perustuotenumero

FDMC7672

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

FDMC7672SDKR

FDMC7672STR

FDMC7672S-DG

FDMC7672SCT

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FDFMA2P029Z-F106

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

onsemi

HUFA76419S3ST

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

onsemi

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

onsemi

NDS9400A

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC