FDMC86320

Valmistajan tuotenumero:

FDMC86320

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDMC86320-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 80 V 10.7A (Ta), 22A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Varasto:

5388 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12846387

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDMC86320 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

80 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

10.7A (Ta), 22A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

8V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

11.7mOhm @ 10.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

41 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2640 pF @ 40 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

8-MLP (3.3x3.3)

Pakkaus / Kotelo

8-PowerWDFN

Perustuotenumero

FDMC86

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

FDMC86320FSDKR

FDMC86320FSTR

FDMC86320FSCT

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

alpha-and-omega-semiconductor

AON7244

MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8DFN

onsemi

FDMS86150

MOSFET N CH 100V 16A POWER56

onsemi

FDMS9410L-F085

MOSFET N-CH 40V 50A POWER56

onsemi

FDMC86265P

MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP