FDMS86200

Valmistajan tuotenumero:

FDMS86200

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDMS86200-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Varasto:

21294 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12847284

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDMS86200 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

150 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

9.6A (Ta), 35A (Tc)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

6V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

18mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2715 pF @ 75 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

8-PQFN (5x6)

Pakkaus / Kotelo

8-PowerTDFN

Perustuotenumero

FDMS86

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

2156-FDMS86200-488

FDMS86200DKR

2832-FDMS86200-488

FDMS86200TR

FDMS86200CT

2832-FDMS86200TR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

NVMFS5A140PLZWFT1G

MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN

FDC655BN

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

onsemi

FDD18N20LZ

MOSFET N-CH 200V 16A DPAK

onsemi

FDR4420A

MOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8