FDMS86202

Valmistajan tuotenumero:

FDMS86202

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDMS86202-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 120 V 13.5A (Ta) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu

12846953

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDMS86202 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

120 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

13.5A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

6V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

7.2mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

64 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

4250 pF @ 60 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.7W (Ta), 156W (Tc)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

8-PQFN (5x6)

Pakkaus / Kotelo

8-PowerTDFN

Perustuotenumero

FDMS86

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

FDMS86202DKR

FDMS86202CT

FDMS86202TR

2156-FDMS86202-OS

ONSFSCFDMS86202

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FDMC8651

MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33

onsemi

FQP19N20L

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

64-2128

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

onsemi

CPH6355-TL-H

MOSFET P-CH 30V 3A 6CPH