FDN306P
Valmistajan tuotenumero:

FDN306P

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDN306P-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Varasto:

43445 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12850723
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDN306P Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1138 pF @ 6 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
500mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Perustuotenumero
FDN306

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
FDN306P Datasheet

Lisätietoja

Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
FDN306P_F095TR-DG
FDN306P_F095
FDN306P_F095CT-DG
FAIFSCFDN306P
FDN306PDKR
FDN306PCT
2156-FDN306P-OS
FDN306P_F095TR
FDN306P_F095DKR
FDN306PF095
FDN306PTR
FDN306P_F095CT
FDN306P_F095DKR-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
onsemi

FDD9411-F085

MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

onsemi

FDPF79N15

MOSFET N-CH 150V 79A TO220F

onsemi

FCA16N60

MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

onsemi

FQPF18N50V2

MOSFET N-CH 500V 18A TO220F