FDN360P

Valmistajan tuotenumero:

FDN360P

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDN360P-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

Yksityiskohtainen kuvaus:

P-Channel 30 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Varasto:

84336 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12838954

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDN360P Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

P-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

30 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

2A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

4.5V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

9 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

298 pF @ 15 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

500mW (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

SOT-23-3

Pakkaus / Kotelo

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Perustuotenumero

FDN360

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

FDN360P_F095CT-DG

FDN360PTR

FDN360PDKR

FDN360P_F095TR

FDN360P_F095CT

FDN360PCT

FDN360P_F095DKR-DG

FDN360PF095

FDN360P_F095

FDN360P_F095TR-DG

FDN360P_F095DKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

infineon-technologies

94-4007

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

onsemi

FDB14N30TM

MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

onsemi

HUFA76423D3S

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

onsemi

FDR840P

MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8