FDN8601

Valmistajan tuotenumero:

FDN8601

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDN8601-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 100 V 2.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Varasto:

20024 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12838623

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDN8601 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

100 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

2.7A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

6V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

109mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

5 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

210 pF @ 50 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

1.5W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

SOT-23-3

Pakkaus / Kotelo

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Perustuotenumero

FDN860

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

3,000

Muut nimet

FDN8601DKR

ONSONSFDN8601

FDN8601TR

FDN8601-DG

2156-FDN8601-OS

2832-FDN8601TR

FDN8601CT

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FQU1N60TU

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

onsemi

FDS4480

MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC

infineon-technologies

BSS84PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

onsemi

FQU11P06TU

MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK