FDP3672
Valmistajan tuotenumero:

FDP3672

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDP3672-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3

Varasto:

652 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12850868
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDP3672 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tube
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
105 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
33mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
135W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FDP36

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
50

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
onsemi

FQD11P06TM

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

onsemi

FQD19N10TF

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

onsemi

FDD8896-F085

MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA

onsemi

FQPF4N90CT

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F