Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDP86363-F085
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDP86363-F085-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
176 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12845742
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDP86363-F085 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tube
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
110A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
10000 pF @ 40 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
Automotive
Ehto
AEC-Q101
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FDP86363
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FDP86363-F085
Tietokortit
FDP86363-F085
HTML-tietolomake
FDP86363-F085-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
2166-FDP86363-F085-488
FDP86363_F085-DG
FDP86363_F085
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPP120N08S403AKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
8142
DiGi OSA NUMERO
IPP120N08S403AKSA1-DG
Yksikköhinta
2.58
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
TK100E10N1,S1X
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
4370
DiGi OSA NUMERO
TK100E10N1,S1X-DG
Yksikköhinta
1.66
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
NVMFS6H800NT1G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
36
DiGi OSA NUMERO
NVMFS6H800NT1G-DG
Yksikköhinta
2.27
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
AOT282L
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
AOT282L-DG
Yksikköhinta
1.81
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AON7700
MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8DFN
AOI950A70
MOSFET N-CH 700V 5A TO251A
AOB462L
MOSFET N-CH 60V 7A/35A TO263
AON7418
MOSFET N-CH 30V 46A/50A 8DFN