Valmistajan tuotenumero:
FDP8860
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDP8860-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12848202
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDP8860 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
12240 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
254W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FDP88
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
PSMN4R3-30PL,127
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
4699
DiGi OSA NUMERO
PSMN4R3-30PL,127-DG
Yksikköhinta
0.72
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PSMN2R0-30PL,127
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
9215
DiGi OSA NUMERO
PSMN2R0-30PL,127-DG
Yksikköhinta
1.11
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRLB8314PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
808
DiGi OSA NUMERO
IRLB8314PBF-DG
Yksikköhinta
0.36
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
BTS115ANKSA1
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB
FQP18N20V2
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
BS107G
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
