Valmistajan tuotenumero:
FDPF2710T
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDPF2710T-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 25A TO220F
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Varasto:
12849598
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDPF2710T Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tube
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
250 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
25A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
42.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7280 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
62.5W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220F-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
FDPF2710
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
ONSONSFDPF2710T
2156-FDPF2710T-OS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPP600N25N3GXKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
647
DiGi OSA NUMERO
IPP600N25N3GXKSA1-DG
Yksikköhinta
1.36
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
IRFI4229PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
411
DiGi OSA NUMERO
IRFI4229PBF-DG
Yksikköhinta
1.90
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDD10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
FQAF19N60
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
AOW12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
