FDS2582

Valmistajan tuotenumero:

FDS2582

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDS2582-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Yksityiskohtainen kuvaus:

N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Varasto:

2551 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa

12847751

Pyydä tarjous

Määrä
Vähintään 1

(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa

Lähetä

FDS2582 Tekniset tiedot

Kategoria

FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit

Valmistaja

onsemi

Paketti

Tape & Reel (TR)

Sarja

PowerTrench®

Tuotteen tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)

150 V

Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C

4.1A (Ta)

Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)

6V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

66mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

±20V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1290 pF @ 25 V

FET-ominaisuus

-

Tehohäviö (enintään)

2.5W (Ta)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Toimittajan laitepaketti

8-SOIC

Pakkaus / Kotelo

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Perustuotenumero

FDS25

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Tietokortit

HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti

2,500

Muut nimet

FDS2582DKR

FDS2582CT

FDS2582TR

FDS2582-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila

ROHS3 Compliant

Kosteusherkkyystaso (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-tilanne

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-sertifiointi

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Liittyvät tuotteet

onsemi

FCD4N60TM_WS

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

onsemi

NTD4906NT4G

MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK

onsemi

NVMFS6B14NLWFT3G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN

onsemi

NTD4855NT4G

MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK