FDS2582
Valmistajan tuotenumero:

FDS2582

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDS2582-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Varasto:

2551 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12847751
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDS2582 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
66mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1290 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
FDS25

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDS2582DKR
FDS2582CT
FDS2582TR
FDS2582-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
onsemi

FCD4N60TM_WS

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

onsemi

NTD4906NT4G

MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK

onsemi

NVMFS6B14NLWFT3G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN

onsemi

NTD4855NT4G

MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK