Valmistajan tuotenumero:
FDS3612
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDS3612-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Varasto:
12839642
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDS3612 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
120mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
632 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
FDS36
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2SK302500L
MOSFET N-CH 60V 30A U-DL
SFT1341-TL-E
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK/TP-FA
FQP6N90C
MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3