FDS4465-G
Valmistajan tuotenumero:

FDS4465-G

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDS4465-G-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 20 V 13.5A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Varasto:

12997451
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDS4465-G Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
8237 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.2W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
2832-FDS4465-G-488
488-FDS4465-GTR

Ympäristö- ja vientiluokitus

Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
comchip-technology

CMS25N10D-HF

MOSFET P-CH 100V 25A DPAK

comchip-technology

CMS11N10Q8-HF

MOSFET N-CH 100V 11A 8SOP

renesas-electronics-america

RJL5014DPP-A0#T2

ABU / MOSFET HV

stmicroelectronics

STWA75N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7