Valmistajan tuotenumero:
FDS5692Z
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDS5692Z-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 50 V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Varasto:
12931714
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDS5692Z Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
UltraFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
50 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
24mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1025 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
FDS56
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDS5692ZCT
FDS5692ZTR
FDS5692ZDKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRFW520ATM
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF731
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFW644BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
