Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDS6609A
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDS6609A-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 30 V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12847168
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDS6609A Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
32mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
FDS66
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
FDS6609A
HTML-tietolomake
FDS6609A-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STS6P3LLH6
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
1449
DiGi OSA NUMERO
STS6P3LLH6-DG
Yksikköhinta
0.32
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
ZXMP3A16N8TA
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
530
DiGi OSA NUMERO
ZXMP3A16N8TA-DG
Yksikköhinta
0.32
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
SI4431BDY-T1-GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
6605
DiGi OSA NUMERO
SI4431BDY-T1-GE3-DG
Yksikköhinta
0.37
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FDS4435BZ
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
27015
DiGi OSA NUMERO
FDS4435BZ-DG
Yksikköhinta
0.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDP036N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
CPH6350-P-TL-E
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
NTD110N02R-001G
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
FQD3N50CTM
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK