Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FDS6675
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDS6675-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12846461
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDS6675 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
11A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
14mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
FDS66
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FDS6675
Tietokortit
FDS6675
HTML-tietolomake
FDS6675-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
ONSONSFDS6675
FDS6675TR
FDS6675DKR
FDS6675CT
2156-FDS6675-OS
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FDS6675BZ
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
14563
DiGi OSA NUMERO
FDS6675BZ-DG
Yksikköhinta
0.27
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRF7416TRPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
12235
DiGi OSA NUMERO
IRF7416TRPBF-DG
Yksikköhinta
0.35
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
TSM180P03CS RLG
VALMISTAJA
Taiwan Semiconductor Corporation
Saatavilla oleva määrä
4996
DiGi OSA NUMERO
TSM180P03CS RLG-DG
Yksikköhinta
0.20
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FDS6679AZ
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
16261
DiGi OSA NUMERO
FDS6679AZ-DG
Yksikköhinta
0.33
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
IRF7424TRPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
32329
DiGi OSA NUMERO
IRF7424TRPBF-DG
Yksikköhinta
0.49
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDMC4436BZ
MOSFET P-CH
AOWF4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
AOD4162
MOSFET N-CH 30V 16A/46A TO252
FQA28N15
MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN