Valmistajan tuotenumero:
FDS6679
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDS6679-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Varasto:
12837356
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDS6679 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3939 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
FDS66
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDS6679TR
FDS6679-DG
FDS6679DKR
FDS6679CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
SI4427BDY-T1-GE3
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
SI4427BDY-T1-GE3-DG
Yksikköhinta
0.69
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FDS6679AZ
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
16261
DiGi OSA NUMERO
FDS6679AZ-DG
Yksikköhinta
0.33
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
AO4407A
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
25182
DiGi OSA NUMERO
AO4407A-DG
Yksikköhinta
0.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQP4N90
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
FQI6N60CTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
FDN339AN_G
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
