FDS6681Z
Valmistajan tuotenumero:

FDS6681Z

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDS6681Z-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Varasto:

19722 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12838916
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDS6681Z Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7540 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
FDS6681

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDS6681Z-DG
2156-FDS6681Z-OS
FDS6681ZDKR
FDS6681ZCT
FDS6681ZTR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
infineon-technologies

AUIRFS6535

MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK

infineon-technologies

BSC340N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5

onsemi

FQPF1N60

MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F

onsemi

FQD7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK