FDS8870
Valmistajan tuotenumero:

FDS8870

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDS8870-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Varasto:

2621 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12848076
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDS8870 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
18A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4615 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Pakkaus / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Perustuotenumero
FDS88

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot

Lisätietoja

Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FDS8870FSTR
FDS8870FSCT
FAIFSCFDS8870
FDS8870-DG
2156-FDS8870-OS
FDS8870FSDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
onsemi

FQP11N50CF

MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3

infineon-technologies

BSO080P03SNTMA1

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

onsemi

FDB52N20TM

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK

onsemi

FDMA8878

MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET