Valmistajan tuotenumero:
FDT3612
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDT3612-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 3.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Varasto:
20218 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12837941
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDT3612 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
120mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
632 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-223-4
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Perustuotenumero
FDT36
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,000
Muut nimet
FDT3612TR
FDT3612CT
FDT3612DKR
2156-FDT3612-OS
FDT3612-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQU1N80TU
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
FQPF2N80
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
AUIRF4905S
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
