FDT3612
Valmistajan tuotenumero:

FDT3612

Product Overview

Valmistaja:

onsemi

Osan numero:

FDT3612-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 3.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Varasto:

20218 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12837941
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

FDT3612 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
120mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
632 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-223-4
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Perustuotenumero
FDT36

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
4,000
Muut nimet
FDT3612TR
FDT3612CT
FDT3612DKR
2156-FDT3612-OS
FDT3612-DG

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
onsemi

FQU1N80TU

MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

onsemi

FQPF2N80

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

infineon-technologies

AUIRF4905S

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

onsemi

2SK4099LS-1E

MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS