Valmistajan tuotenumero:
FDU3706
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDU3706-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 20 V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
Varasto:
12850597
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDU3706 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
14.7A (Ta), 50A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
2.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1882 pF @ 10 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.8W (Ta), 44W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I-PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
FDU37
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
R6006JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
R6006KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
