Valmistajan tuotenumero:
FDU6N25
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDU6N25-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Varasto:
12850989
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDU6N25 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
UniFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
250 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
50W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I-PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Perustuotenumero
FDU6
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
70
Muut nimet
FDU6N25OS
2156-FDU6N25-OS
FDU6N25-DG
ONSONSFDU6N25
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFU224PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRFU224PBF-DG
Yksikköhinta
0.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
FDD26AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
IPP057N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
