Valmistajan tuotenumero:
FDU8796
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FDU8796-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 88W (Tc) Through Hole I-PAK
Varasto:
12840305
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FDU8796 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
PowerTrench®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
25 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
35A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2610 pF @ 13 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
88W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I-PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
FDU87
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FDD8796
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
25932
DiGi OSA NUMERO
FDD8796-DG
Yksikköhinta
0.35
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQU5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
FDMS86103L
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
FDD850N10LD
MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
