Valmistajan tuotenumero:
FJN3303RTA
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FJN3303RTA-DG
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Varasto:
12848037
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FJN3303RTA Tekniset tiedot
Kategoria
Bipolaarinen (BJT), Yksittäiset, esiviritetyt bipolaariset transistori
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
NPN - Pre-Biased
Virta - kollektori (ic) (enintään)
100 mA
Jännite - kollektorisäteilijän vika (enintään)
50 V
Vastus - pohja (R1)
22 kOhms
Vastus - emitterin pohja (R2)
22 kOhms
DC-virran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
vce-kylläisyys (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Virta - kollektorin raja-arvo (enintään)
100nA (ICBO)
Taajuus - siirtyminen
250 MHz
Teho - Max
300 mW
Asennustyyppi
Through Hole
Pakkaus / Kotelo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Toimittajan laitepaketti
TO-92-3
Perustuotenumero
FJN330
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,000
Muut nimet
FJN3303RTA-DG
FJN3303RTACT
FJN3303RTATB
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
MMUN2212LT1G
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
7095
DiGi OSA NUMERO
MMUN2212LT1G-DG
Yksikköhinta
0.01
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
DRC9114E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
DRC5123E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
DRC2144E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3