Valmistajan tuotenumero:
FQA22P10
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQA22P10-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 100 V 24A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PN
Varasto:
12837564
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
kdGa
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQA22P10 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
24A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3PN
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Perustuotenumero
FQA2
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDMS7556S
MOSFET N-CH 25V 35A/49A 8PQFN
HUFA76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
FDD068AN03L
MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA
