Valmistajan tuotenumero:
FQA7N80
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQA7N80-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 7.2A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P
Varasto:
12848255
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQA7N80 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
198W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Perustuotenumero
FQA7
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQD20N06TF
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
BSF050N03LQ3GXUMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/60A 2WDSON
AOK20N60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
