Valmistajan tuotenumero:
FQA9N50
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQA9N50-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 9.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-3P
Varasto:
12849998
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQA9N50 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9.6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
730mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
160W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Perustuotenumero
FQA9
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
450
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STW14NK50Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
66
DiGi OSA NUMERO
STW14NK50Z-DG
Yksikköhinta
1.95
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB45N06S3-16
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
AOD450
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252
BSZ120P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
