Valmistajan tuotenumero:
FQAF17P10
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQAF17P10-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 100 V 12.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-3PF
Varasto:
12847189
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQAF17P10 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
56W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3PF
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3 Full Pack
Perustuotenumero
FQAF1
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQA70N10
MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
NTD4959N-35G
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
FDB86563-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
