Valmistajan tuotenumero:
FQAF58N08
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQAF58N08-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 44A TO3PF
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 44A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF
Varasto:
12848799
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQAF58N08 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
44A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
24mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
85W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3PF
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3 Full Pack
Perustuotenumero
FQAF5
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXTQ75N10P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
3
DiGi OSA NUMERO
IXTQ75N10P-DG
Yksikköhinta
2.44
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDMC4435BZ-F126
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
NDC652P
MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6
NVMFS5A160PLZWFT1G
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
