Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FQB4P40TM
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQB4P40TM-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 400 V 3.5A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12839021
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQB4P40TM Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
400 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
FQB4
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRF5210STRLPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
7933
DiGi OSA NUMERO
IRF5210STRLPBF-DG
Yksikköhinta
1.26
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AUIRFR2905ZTRL
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
FDP045N10A
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
FDJ127P
MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6 FLMP
FQPF13N50
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F