Valmistajan tuotenumero:
FQD12N20LTM_SN00173
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQD12N20LTM_SN00173-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
12849620
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQD12N20LTM_SN00173 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
9A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
FQD1
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FQD12N20LTM
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
4955
DiGi OSA NUMERO
FQD12N20LTM-DG
Yksikköhinta
0.27
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
FQD12N20LTM-F085
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
10000
DiGi OSA NUMERO
FQD12N20LTM-F085-DG
Yksikköhinta
0.43
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
FQD12N20LTM-F085P
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
1135
DiGi OSA NUMERO
FQD12N20LTM-F085P-DG
Yksikköhinta
0.70
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AO3413L
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
FQD3N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
FQB7P06TM
MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK
