Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FQD5N60CTM-WS
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQD5N60CTM-WS-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12839172
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQD5N60CTM-WS Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
FQD5N60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FQD5N60C, FQU5N60C
Tietokortit
FQD5N60CTM-WS
HTML-tietolomake
FQD5N60CTM-WS-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
FQD5N60CTM-WSDKR
FQD5N60CTM_WS
FQD5N60CTM_WSCT-DG
FQD5N60CTM-WSTR
FQD5N60CTM_WSDKR
FQD5N60CTM_WSDKR-DG
FQD5N60CTM_WSCT
FQD5N60CTM_WSTR-DG
FQD5N60CTM_WSTR
FQD5N60CTM-WSCT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FQD5N60CTM
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
FQD5N60CTM-DG
Yksikköhinta
0.42
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
Osanumero
FDD5N60NZTM
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
45384
DiGi OSA NUMERO
FDD5N60NZTM-DG
Yksikköhinta
0.40
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
HUFA76443S3ST
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
FCD2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
HUF75639G3
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3