Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
FQH8N100C
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQH8N100C-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12840493
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQH8N100C Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tube
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3220 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
225W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
FQH8N100
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
FQH8N100C
Tietokortit
FQH8N100C
HTML-tietolomake
FQH8N100C-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
2156-FQH8N100C-OS
ONSONSFQH8N100C
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STW7N95K3
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STW7N95K3-DG
Yksikköhinta
2.86
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
APT8M100B
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
37
DiGi OSA NUMERO
APT8M100B-DG
Yksikköhinta
3.45
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFH12N120P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFH12N120P-DG
Yksikköhinta
10.90
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STW10N105K5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STW10N105K5-DG
Yksikköhinta
2.07
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FQA8N100C
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
230
DiGi OSA NUMERO
FQA8N100C-DG
Yksikköhinta
2.49
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQB13N10TM
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
NTD4909N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
MCH3481-TL-W
MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3
NTD4979NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK