Valmistajan tuotenumero:
FQI1P50TU
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQI1P50TU-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Varasto:
12849659
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQI1P50TU Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-262 (I2PAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Perustuotenumero
FQI1
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRF9Z14LPBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRF9Z14LPBF-DG
Yksikköhinta
0.69
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
MTP50P03HDLG
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
AOB4184
MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO263
FQAF44N08
MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF
