Valmistajan tuotenumero:
FQP11N40C
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQP11N40C-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 400 V 10.5A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
1566 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12847847
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQP11N40C Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tube
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
400 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
530mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
135W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FQP11
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
2156-FQP11N40C-OS
FQP11N40CFS
ONSONSFQP11N40C
FQP11N40C-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
AOW7S60
MOSFET N-CH 600V 7A TO262
FQPF30N06
MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
