Valmistajan tuotenumero:
FQP1N60
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQP1N60-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 1.2A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 1.2A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12838898
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQP1N60 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
11.5Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
40W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FQP1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
AOT1N60
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
1232
DiGi OSA NUMERO
AOT1N60-DG
Yksikköhinta
0.21
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDD86369
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
FQPF16N15
MOSFET N-CH 150V 11.6A TO220F
FQD7N20LTF
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
