Valmistajan tuotenumero:
FQP34N20L
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQP34N20L-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12850392
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQP34N20L Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
31A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 5 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
180W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FQP3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDMS8660AS
MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
FDS3672
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
AO4701
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
