Valmistajan tuotenumero:
FQP3N40
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQP3N40-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 400V 2.5A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 400 V 2.5A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12838758
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQP3N40 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
400 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
55W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FQP3
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRF710PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
6746
DiGi OSA NUMERO
IRF710PBF-DG
Yksikköhinta
0.37
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FQL50N40
MOSFET N-CH 400V 50A TO264-3
FQA20N40
MOSFET N-CH 400V 19.5A TO3P
FCHD190N65S3R0-F155
MOSFET N-CH 650V 17A TO247
