Valmistajan tuotenumero:
FQP47P06
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQP47P06-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 60 V 47A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12847252
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQP47P06 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
Tube
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
47A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
26mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
160W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FQP47
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
SPP80P06PHXKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
5150
DiGi OSA NUMERO
SPP80P06PHXKSA1-DG
Yksikköhinta
1.67
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
ATP113-TL-H
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
2834
DiGi OSA NUMERO
ATP113-TL-H-DG
Yksikköhinta
0.64
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDD16AN08A0_NF054
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
FDA62N28
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
FDZ371PZ
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
