Valmistajan tuotenumero:
FQP6N15
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQP6N15-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 150 V 6.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12850575
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQP6N15 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
63W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
FQP6
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
RCX080N25
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
246
DiGi OSA NUMERO
RCX080N25-DG
Yksikköhinta
0.43
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
AOTF12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
BSS100
MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
FDV302P
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
