Valmistajan tuotenumero:
FQPF17N08
Product Overview
Valmistaja:
onsemi
Osan numero:
FQPF17N08-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 80 V 11.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Varasto:
12847919
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
FQPF17N08 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
onsemi
Paketti
-
Sarja
QFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
11.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
115mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
30W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220F-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Perustuotenumero
FQPF1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFI530NPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
7816
DiGi OSA NUMERO
IRFI530NPBF-DG
Yksikköhinta
0.52
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
FDS8690
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
HUF75307T3ST
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
AO3401AL
MOSFET P-CHANNEL 30V 4A SOT23-3
